把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創新

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原標題：把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創新
關鍵字：報告,芯片,研究人員,間距,技術
文章來源：機器之心
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機器之心報道
編輯：澤南、小舟在一平方毫米的硅片上建立數百萬個連接。從納米到埃米，芯片制造商正在竭盡全力縮小電路的尺寸。但對于人們日益增長的算力需求，一項涉及更大尺寸（數百或數千納米）的技術在未來五年內可能同樣重要。
這項技術稱為直接混合鍵合（Hybrid Bonding），可在同一封裝中將兩個或多個芯片堆疊在一起，構建所謂的 3D 芯片。盡管由于摩爾定律逐漸崩潰，晶體管縮小的速度正在變慢，但芯片制造商仍然可以通過其他方式增加處理器和內存中的晶體管數量。
今年 5 月，在丹佛舉行的 IEEE 電子元件和技術會議（ECTC）上，來自世界各地的研究小組公布了該技術的各種來之不易的改進，其中一些結果顯示，3D 堆疊芯片之間的連接密度可能達到創紀錄的水平：每平方毫米硅片上大約有 700 萬個連接。
英特爾的 Yi Shi 在 ECTC 大會上報告說，由于半導體技術的新進展，所有這些連接都是必需的。摩爾定律現在受一個稱為系統技術協同優化（STCO）的概念支配，即芯片的功能（例如緩存、輸入 / 輸出和邏輯）分別使用最先進工藝制程制造。然后可以使用混合鍵合和其他先進封裝技術來組裝這些子系統，以便讓它

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