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原標(biāo)題：英偉達(dá)版B200A曝光！最強(qiáng)芯片架構(gòu)Blackwell難產(chǎn)：產(chǎn)能不夠，刀法來湊
關(guān)鍵字：報(bào)告,產(chǎn)能,芯片,中介,故障
文章來源：量子位
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夢(mèng)晨 發(fā)自 凹非寺量子位 | 公眾號(hào) QbitAI英偉達(dá)最強(qiáng)芯片B200被迫推遲三個(gè)月，傳聞鬧的沸沸揚(yáng)揚(yáng)。
老黃的對(duì)策來了：版芯片B200A曝光。
這難道就是“產(chǎn)能不夠，刀法來湊”？
沒錯(cuò)，根據(jù)SemiAnalysis分析，B200遇到的主要問題正是產(chǎn)能不足，更具體來說是臺(tái)積電的新封裝工藝CoWoS-L產(chǎn)能不足。
版的B200A將先用于滿足中低端AI系統(tǒng)的需求。
版B200A，內(nèi)存帶寬縮水????為什么說B200A是版？
指標(biāo)上主要體現(xiàn)在內(nèi)存帶寬，4TB/s，比年初發(fā)布會(huì)上B200宣傳的8TB/s直接縮水一半。
這背后就是封裝工藝由CoWoS-L退回CoWoS-S了，甚至B200A據(jù)稱也兼容三星等其他非臺(tái)積電的2.5D封裝技術(shù)。
總的來說CoWoS先進(jìn)封裝目前有三個(gè)變體，CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，主要區(qū)別在中介層（interposer）的方案。
中介層介于芯片晶圓和印刷電路板之間，實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基板之間的信息交換，同時(shí)提供機(jī)械支撐和散熱能力。
CoWoS-S結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單，中介層就相當(dāng)于一片硅板。
CoWoS-R使用了RDL技術(shù)（Redistribut

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