EUV光刻,新里程碑

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原標(biāo)題:EUV光刻,新里程碑
關(guān)鍵字:光刻,圖案,報告,掃描儀,間距
文章來源:人工智能學(xué)家
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來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
在進(jìn)入High NA EUV光刻時代的前夕,imec計算技術(shù)與系統(tǒng)/計算系統(tǒng)擴(kuò)展高級副總裁Steven Scheer談到了ASML-imec聯(lián)合高NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室對半導(dǎo)體行業(yè)的意義。
Steven Scheer表示:“位于荷蘭費(fèi)爾德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室的開業(yè),標(biāo)志著High NA EUV 大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用準(zhǔn)備工作取得里程碑式進(jìn)展。領(lǐng)先的內(nèi)存和邏輯芯片制造商現(xiàn)在可以使用第一臺原型High NA (0.55NA) EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5000) 和周邊基礎(chǔ)設(shè)施,包括涂層和開發(fā)軌道、計量工具以及晶圓和掩模處理系統(tǒng)。Imec 和 ASML 將支持IDM 和代工廠降低圖案化技術(shù)的風(fēng)險,并在掃描儀在其生產(chǎn)工廠投入使用之前開發(fā)私有的High NA EUV 用例。
ASML和imec還將向更廣泛的供應(yīng)商生態(tài)系統(tǒng)提供訪問權(quán)限。開發(fā)設(shè)施將使他們能夠走在High NA EUV 專用材料和設(shè)備工程的最前沿。第三組用戶是imec 和我們在高級圖案化項(xiàng)目中的幾家合作伙伴,推動圖案化生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)入下一代High NA EU
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作者簡介:致力成為權(quán)威的人工智能科技媒體和前沿科技研究機(jī)構(gòu)

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