EUV光刻，新里程碑

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原標題：EUV光刻，新里程碑
關鍵字：光刻,圖案,報告,掃描儀,間距
文章來源：人工智能學家
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來源：半導體行業觀察
在進入High NA EUV光刻時代的前夕，imec計算技術與系統/計算系統擴展高級副總裁Steven Scheer談到了ASML-imec聯合高NA EUV光刻實驗室對半導體行業的意義。
Steven Scheer表示：“位于荷蘭費爾德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 聯合光刻實驗室的開業，標志著High NA EUV 大規模生產應用準備工作取得里程碑式進展。領先的內存和邏輯芯片制造商現在可以使用第一臺原型High NA (0.55NA) EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5000) 和周邊基礎設施，包括涂層和開發軌道、計量工具以及晶圓和掩模處理系統。Imec 和 ASML 將支持IDM 和代工廠降低圖案化技術的風險，并在掃描儀在其生產工廠投入使用之前開發私有的High NA EUV 用例。
ASML和imec還將向更廣泛的供應商生態系統提供訪問權限。開發設施將使他們能夠走在High NA EUV 專用材料和設備工程的最前沿。第三組用戶是imec 和我們在高級圖案化項目中的幾家合作伙伴，推動圖案化生態系統進入下一代High NA EU

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作者簡介：致力成為權威的人工智能科技媒體和前沿科技研究機構