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原標題：將摩爾定律推向新高度
關(guān)鍵字：晶體管,柵極,器件,納米,定律
文章來源：人工智能學(xué)家
內(nèi)容字數(shù)：8466字

內(nèi)容摘要：

過去50年里，影響最深遠的技術(shù)成就也許就是晶體管小型化的穩(wěn)步推進，它們的集成密度越來越高、功耗越來越低。自從20多年前在英特爾開始職業(yè)生涯以來，我們就一直聽到這樣的警告：這種無窮小的演變即將結(jié)束。然而年復(fù)一年，優(yōu)秀的新型創(chuàng)新成果還在繼續(xù)推動半導(dǎo)體行業(yè)進一步發(fā)展。
在這個過程中，我們工程師需要改變晶體管的架構(gòu)，在提高性能的同時持續(xù)縮小其面積并降低功耗。帶領(lǐng)我們走過20世紀下半葉的“平面”晶體管設(shè)計，在21世紀10年代前半期被3D鰭狀器件取代。如今，隨著一種新的全環(huán)繞柵極（GAA）結(jié)構(gòu)即將投入生產(chǎn)，這些3D鰭狀器件也即將被取代。但是我們必須看得更遠，因為我們縮小這種新型晶體管結(jié)構(gòu)（我們稱之為“RibbonFET”）的能力也有限。
那么，未來的小型化工作要如何開展？我們將繼續(xù)關(guān)注第三維度。我們開發(fā)了可以互相堆疊的實驗裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)比原來小30%至50%的邏輯。至關(guān)重要的是，頂部和底部器件分屬N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）和P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（PMOS）兩種互補類型，它們是過去幾十年里所有邏輯電路的基礎(chǔ)。我們相信這種3D堆疊的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）和互補場效應(yīng)晶體管（CFET

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作者簡介：致力成為權(quán)威的人工智能科技媒體和前沿科技研究機構(gòu)